低位交叉存储器能并行是因为采用流水线的方式并行存取。交叉存储器，又称低位交叉编址，是一种模块式的存储器，能并行执行多个独立的读、写操作。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM），两者的功能有较大的区别，因此在描述上也有所不同。存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若干二进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似，故在VHDL语言中，通常由数组描述存储器。